أجهزة ذاكرة هجين غير قابلة للاختراق

[align=center]السلام عليكم
توصل باحثون من المعهد الوطني للمقاييس والتقنية الأمريكي بالتعاون مع زملاء لهم من جامعة جورج ماسون وجامعة كوانجون الكورية من صنع أجهزة ذاكرة تجمع بين خيوط السيليكون النانومترية وأنماط تخزين البيانات التقليدية.

ويوفر هذا النموذج الهجين درجة اعتمادية أكبر مما توفره أجهزة تخزين المعلومات النانومترية التي تم صنعها مؤخراً كما أن استخداماتها في التطبيقات التجارية أسهل وأقل تكلفة.

وجاء في تقرير لمجلة فيزورغ أن الجهاز الجديد هو عبارة عن ذاكرة “عصية على الاختراق” أي أنها تحتفظ بالمعلومات وتحول دون فقدانها عندما يكون الجهاز غير متصل بالتيار الكهربائي أو خال من الطاقة.

ودمجت خيوط السيليكون النانومترية في هذا الجهاز في ذواكر لا تخترق هي الأكثر تطوراً تشبه الفلاش مموري، في تركيب يعرف باسم تقنيات SONOS وتتوضع الخيوط النانومترية بواسطة خاصية التناسق الذاتي التي قد تسمح بانتاج أجهزة بكميات تجارية وبتكاليف عادية قد لا تتجاوز تكلفة انتاج كرت الذاكرة الذي يتطلب عمليات تصنيع اكثر تعقيداً.

ويزرع الباحثون الخيوط النانومترية في شبكة متعددة الطبقات من أوكسيد النتريد ويسفر مرور تيار موجب عبر الخيوط عن تشكل الالكترونات في قنوات ضمن الشبكة وشحنها، أما مرور التيار السالب فيسبب عودتها الى الخيوط. وهذه العملية هي محور عمل الذاكرة، حيث تخزن البيانات عند شحنها كلياً وعند انقطاع التيار عنها تصبح قابلة للقراءة.

ويجمع الجهاز الجديد بين خصائص الالكترونيات الممتازة لخيوط النانومترية في التقنية الجديدة ولهذا تجعل منه هذه الخواص مجالا للعديد من التطبيقات الواعدة في اجهزة الذاكرة غير القابلة للاختراق، ومن هذه الخواص سهولة القراءة والكتابة والمسح فضلا عن مساحات التخزين الهائلة.

[/align]